close

刺激大腦區塊 研發記憶帽有望

法新社 – 2012年2月9日 下午7:20

法新社華盛頓8日電) 美國加州科學家今天表示,他們可能已找到刺激大腦某1區域的方法,使該區域更容易形成記憶。

有朝一日,這個方法或許能運用在製作1種神經輔助裝置,也就是記憶帽,使人們能在需要時啟動裝置來記住新資訊,甚至可能幫助失智症患者恢復記憶。

然而,加州大學洛杉磯分校(UCLA)研究人員指出,這些可能性雖然有趣,但要到遙遠的未來才會實現。這項針對7名癲癇患者進行的研究發表在「新英格蘭醫學期刊」(New England Journal of Medicine)。

報告共同作者、加州大學洛杉磯分校大衛葛芬醫學院(David Geffen School of Medicine)神經外科教授佛里特(Itzhak Fried)表示:「我們的初步研究結果證明,可能透過機械裝置來增強記憶,尤其是針對老化或罹患初期失智症的人們。」

他說:「同時,我們只研究了少許病例,因此我們的研究結果應受到審慎解讀。」

研究人員針對這些癲癇患者,研究大腦1個稱作內嗅皮質(entorhinal cortex)區的神經刺激作用。這些患者腦內已植入電極,以便找出癲癇發作的源頭。

內嗅皮質被視為海馬迴的出入口,海馬迴是大腦形成並儲存記憶的區塊。

研究人員讓這些病患打電動遊戲,須駕駛計程車將乘客送往鎮上的特定地點,而當病患的內嗅皮質受到刺激時,會顯現出較佳的記憶力。(譯者:中央社張雅亭)

arrow
arrow

    chiou 發表在 痞客邦 留言(0) 人氣()